ပထမ- ပုံပန်းသဏ္ဍာန် ကွာခြားမှု
ပိုလီဆီလီကွန်၏ နည်းပညာဆိုင်ရာ အင်္ဂါရပ်များ အသွင်အပြင်မှ၊ monocrystalline silicon ဆဲလ်၏ လေးထောင့်များသည် အကွေးပုံစံဖြစ်ပြီး မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ပုံစံများမရှိပါ။ ပိုလီဆီလီကွန်ဆဲလ်၏ လေးထောင့်များသည် စတုရန်းထောင့်များဖြစ်ပြီး မျက်နှာပြင်သည် ရေခဲပန်းများနှင့် ဆင်တူသည့် ပုံစံများရှိသည်။ amorphous silicon cell သည် ကျွန်ုပ်တို့ များသောအားဖြင့် ပါးလွှာသော ဖလင် အစိတ်အပိုင်း ဟုခေါ်သည် ။ ဇယားကွက်မျဉ်းကို မြင်နိုင်သော ပုံဆောင်ခဲဆီလီကွန်ဆဲလ်များနှင့် မတူဘဲ မျက်နှာပြင်သည် မှန်ကဲ့သို့ ကြည်လင်ချောမွေ့သည်။
ဒုတိယ- အသုံးပြုမှုကွာခြားချက်
polysilicon ၏နည်းပညာပိုင်းဆိုင်ရာအင်္ဂါရပ်များအသုံးပြုသူများအတွက်၊ monocrystalline silicon ဆဲလ်များနှင့် polysilicon ဆဲလ်များအကြားများစွာသောကွာခြားချက်မရှိပါ၊ ၎င်းတို့၏သက်တမ်းနှင့်တည်ငြိမ်မှုသည်အလွန်ကောင်းမွန်သည်။ monocrystalline silicon ဆဲလ်များ၏ ပျမ်းမျှပြောင်းလဲခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်သည် polysilicon ထက် 1% ခန့် ပိုမိုမြင့်မားသော်လည်း၊ monocrystalline silicon ဆဲလ်များကို တစ်ပိုင်းစတုရန်းများအဖြစ်သာ ပြုလုပ်နိုင်သောကြောင့် (အဘက်လေးဘက်စလုံးသည် arc ပုံသဏ္ဍာန်ဖြစ်သည်)၊ ဧရိယာပြည့်မည်မဟုတ်ပါ။ ပိုလီစီလီကွန်သည် စတုရန်းဖြစ်သောကြောင့် ယင်းပြဿနာမရှိပါ။ ၎င်းတို့၏ အားသာချက်များနှင့် အားနည်းချက်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။
ပုံဆောင်ခဲဆီလီကွန် အစိတ်အပိုင်းများ- အစိတ်အပိုင်းတစ်ခု၏ စွမ်းအားသည် အတော်လေးမြင့်မားသည်။ တူညီသောကြမ်းပြင်ဧရိယာအောက်တွင်၊ တပ်ဆင်ထားသည့်ပမာဏသည် ပါးလွှာသောဖလင်အစိတ်အပိုင်းများထက် ပိုမိုမြင့်မားသည်။ သို့သော်လည်း အစိတ်အပိုင်းများသည် ထူထဲပြီး ကျိုးပဲ့လွယ်သည်၊ အပူချိန်မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်၊ အလင်းရောင်အားနည်းသော စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် နှစ်စဉ် လေ၀င်လေထွက်နှုန်း မြင့်မားသော အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။
ပါးလွှာသော ဖလင်အစိတ်အပိုင်းများ- အစိတ်အပိုင်းတစ်ခု၏ ပါဝါသည် နည်းပါးသည်။ သို့သော်လည်း ၎င်းတွင် မြင့်မားသော ပါဝါထုတ်လုပ်ခြင်း စွမ်းဆောင်ရည်၊ ကောင်းမွန်သော အပူချိန်မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်၊ ကောင်းမွန်သော အလင်းရောင်အားနည်းသော စွမ်းဆောင်ရည်၊ သေးငယ်သော အရိပ်-ပိတ်ဆို့ခြင်း ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနှင့် နှစ်စဉ် လျော့နည်းကျဆင်းမှုနှုန်းတို့ ပါဝင်သည်။ ၎င်းတွင် ကျယ်ပြန့်သော အသုံးချပတ်ဝန်းကျင်၊ လှပပြီး ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်မှု၊
တတိယ: ကုန်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်
ပိုလီဆီလီကွန် ဆိုလာဆဲလ်များ ထုတ်လုပ်ရေး လုပ်ငန်းစဉ်တွင် သုံးစွဲသည့် စွမ်းအင်သည် monocrystalline silicon ဆိုလာဆဲလ်များထက် 30% ခန့် လျော့နည်းသည်။ polysilicon ၏နည်းပညာပိုင်းဆိုင်ရာဝိသေသလက္ခဏာများအရ polysilicon ဆိုလာဆဲလ်များသည်ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာဆိုလာဆဲလ်ထုတ်လုပ်မှုစုစုပေါင်း၏ကြီးမားသောဝေစုကိုရရှိကြပြီးထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်သည် monocrystalline silicon ဆဲလ်များထက်နိမ့်သောကြောင့်ပိုလီဆီလီကွန်ဆိုလာဆဲလ်များကိုအသုံးပြုခြင်းသည်စွမ်းအင်ပိုမိုရရှိမည်ဖြစ်သည်။ ချွေတာပြီး သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်နဲ့လည်း လိုက်ဖက်ပါတယ်။
polysilicon သည် single-element silicon ပုံစံတစ်ခုဖြစ်သည်။ polysilicon ကို microelectronics လုပ်ငန်းနှင့် photovoltaic လုပ်ငန်း၏ "အခြေခံ" အဖြစ် မှတ်ယူသည်။ ၎င်းသည် ဓာတုစက်မှုလုပ်ငန်း၊ သတ္တုဗေဒ၊ စက်ပစ္စည်းနှင့် အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းစသည့် နယ်ပယ်ပေါင်းစုံကို နယ်ပယ်ပေါင်းစုံမှ နယ်ပယ်ပေါင်းစုံကို ဖြန့်ကျက်ထားသော နည်းပညာမြင့်ထုတ်ကုန်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ အကြီးစားပေါင်းစပ်ပတ်လမ်းနှင့် ဆိုလာဆဲလ်စက်မှုလုပ်ငန်းများအတွက် အရေးကြီးသော အခြေခံကုန်ကြမ်းဖြစ်ပြီး ဆီလီကွန်ထုတ်ကုန်စက်မှုလုပ်ငန်းကွင်းဆက်တွင် အလွန်အရေးကြီးသော အလယ်အလတ်ထုတ်ကုန်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် အသုံးချမှုအဆင့်သည် နိုင်ငံတစ်နိုင်ငံ၏ ပြည့်စုံသော အမျိုးသားအင်အား၊ နိုင်ငံတော် ကာကွယ်ရေး အင်အားနှင့် ခေတ်မီတိုးတက်ရေး အဆင့်ကို တိုင်းတာရန်အတွက် အရေးကြီးသော သင်္ကေတတစ်ခု ဖြစ်လာခဲ့သည်။
တင်ချိန်- အောက်တိုဘာ ၁၉-၂၀၂၄
